Неопоиск по онлайн-ресурсам  136 документов

• Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур \LT-GaAs/GaAs:Si\
  авторы: А. Н. Виниченко; А. Н. Клочков; А. П. Шкуринов и др. год: 2020 источник: Оптика и спектроскопия база данных: GeoRef, RSCI, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Исследование силиконовой пленки, осажденной на поверхность кварцевого стекла под действием лазерного излучения
  авторы: Алексеев И.В.; Беликов А.В.; Капралов С.А. и др. год: 2022 источник: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Тепловой взрыв одиночных частиц в случайном поле температуры среды
  авторы: А. К. Клочков; И. В. Деревич год: 2023 источник: Теплофизика высоких температур база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
  авторы: А. В. Клочков; А. М. Иванов; Н. И. Бочкарева и др. год: 2019 источник: Физика и техника полупроводников база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток \LT-GaAs/GaAs : Si\, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
  авторы: Галиев Г.Б.; Климов Е.А.; Клочков А.Н. и др. год: 2019 источник: Физика и техника полупроводников база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
  авторы: А. Н. Клочков; Г. Б. Галиев; Е. А. Климов и др. год: 2018 источник: Физика и техника полупроводников база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
  авторы: А. М. Буряков; А. Н. Клочков; А. С. Бугаев и др. год: 2018 источник: Физика и техника полупроводников база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Координатно-временная модель формирования космических сканерных изображений линейками матриц ПЗС
  авторы: Андронов Владимир Германович; Волобуев Ю.Н.; Дегтярёв С.В. и др. год: 2011 источник: Известия высших учебных заведений. Приборостроение база данных: RSCI, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
  авторы: А. А. Зайцев; А. Н. Клочков; Г. Б. Галиев и др. год: 2020 источник: Физика и техника полупроводников база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
  авторы: А. А. Зайцев; А. Н. Клочков; Г. Б. Галиев и др. год: 2020 источник: Оптика и спектроскопия база данных: GeoRef, RSCI, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Опыт применения имплантации стимулятора блуждающего нерва во время беременности у пациентки с фармакорезистентной эпилепсией
  авторы: Бондарева Мария Марковна; Второв Александр Владимирович; Катышев Сергей Андреевич и др. год: 2019 источник: Эпилепсия и пароксизмальные состояния база данных: Embase, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Эффективность и безопасность применения стимулятора блуждающего нерва у пациентов с фармакорезистентной эпилепсией на территории Российской Федерации: многоцентровая ретроспективная наблюдательная программа
  авторы: Большакова Е.С.; Воронкова К.В.; Дмитренко Д.В. и др. год: 2021 источник: Эпилепсия и пароксизмальные состояния база данных: Embase, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Россия в мировом информационном сообществе
  автор: Клочкова Елена Николаевна год: 2016 источник: Вопросы статистики база данных: RSCI, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой >120 K
  авторы: А. А. Афоненко; А. А. Зайцев; А. И. Данилов и др. год: 2021 источник: Физика и техника полупроводников база данных: RSCI, Scopus, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее
• Определение цифровой экономики для целей статистического исследования
  авторы: Клочкова Е.Н.; Прохоров П.Э. год: 2020 источник: Вопросы статистики база данных: RSCI, "Белый список" тип: Статья
  Полный текстПодробнее