1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
  5. Выпуск 2011 г. Том 4. № 5

Влияние строения на электропроводность кристаллов полупроводникового германия
статья из журнала

Полный текстЗаказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Ш 611)
Библиографическое описание: Шиманский, А. Ф. Влияние строения на электропроводность кристаллов полупроводникового германия = Influence of Crystal Structure on the Electrical Conductivity of Semiconducting Germanium / А. Ф. Шиманский, О. И. Подкопаев, В. В. Вахрин. - Текст : непосредственный // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. - 2011. - Т. 4, № 5. - С. 542-546. - Библиогр. в конце ст. - ISSN 1999-494X.
Аннотация: Установлен характер взаимосвязи электропроводности и строения поликристаллических образцов германия полупроводникового оптического качества (ГПО) и особо чистого германия (ОЧГ). Удельная электрическая проводимость ГПО снижается при уменьшении размера кристаллитов, что связано с уменьшением подвижности носителей заряда, вызванным их рассеянием на границах кристаллитов. Противоположная тенденция выявлена при исследовании ОЧГ, его электропроводность возрастает с уменьшением размера кристаллитов вследствие увеличения концентрации поверхностных электронных состояний.
Год издания: 2011
Авторы: Шиманский А. Ф. , Подкопаев О. И. , Вахрин В. В.
Источник: Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
Выпуск: Т. 4, № 5
Номера страниц: 542-546
Количество экземпляров:

Всего свободно 4 из 4 экземпляров.

  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, 3 этаж, холл): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Информационно-библиографический отдел (пр. Свободный, 79, к. Б3-09): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Отдел формирования информационно-библиотечных ресурсов (пр. Свободный, 79, к. Б2-20): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13А, к. 1-01): свободно 1 из 1 экземпляров