Библиографическое описание:Снижение переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полупроводникам с помощью оптического излучения / В. А. Голубятников [и др.]. - (Исследование структуры и свойств) (Физические методы исследования и контроля). - Текст : непосредственный // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2014. - Т. 80, № 1. - С. 35-38. - Библиогр.: с. 38 (3 назв. ). - ISSN 1028-6861.
Аннотация:Предпринята попытка снизить переходное сопротивление омических контактов к высокоомным полупроводникам путем создания в зоне контакта повышенной концентрации свободных носителей заряда за счет оптической стимуляции. Предложены различные варианты конструкции таких контактов.
