Библиографическое описание:Фартушна, Ю. В. Сравнительный анализ строения диаграмм состояния трехкомпонентных систем Ti-P3M-{Si, Ge, Sn, Ga} / Ю. В. Фартушна. - (Физико-химические исследования материалов). - Текст : непосредственный // Порошковая металлургия. - 2016. - № 3/4. - С. 109-126 : 4 рис. - ISSN 0032-4795.
Аннотация:Выявлены основные факторы, которые влияют на топологию диаграмм состояния систем Ti-P3M-p элемент (Si, Ge, Sn, Ga). В работе детально обсуждаются преимущественно три ряда систем - с кремнием, германием и оловом. Полученные результаты распространяются на системы с р-элементами III группы. Это дает возможность проанализировать изменение топологии диаграмм состояния как вдоль ряда лантаноидов, так и при замене одного р-элемента другим. Рассмотрен концентрационный интервал до 40% (ат. ) р-элемента.
Ключевые слова:p3m-x, Ti-3M, Ti-Ge, Ti-P3M-X, Ti-Si, диаграммы состояния трехкомпонентных систем, изотермические сечения, ограничивающие бинарные системы, трехкомпонентные системы, тройные системы, энтальпия образования
