Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и комбинированных СИТ-МОП-транзисторахстатья из журнала
База данных: Каталог библиотеки СФУ (К 995)
Библиографическое описание: Кюрегян, А. С. Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и комбинированных СИТ-МОП-транзисторах / А. С. Кюрегян, А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов. - Текст : непосредственный // Электротехника. - 2017. - № 2. - С. 52-56. - ISSN 0013-5860.
Аннотация: Проведено двумерное численное моделирование процессов переключения эквивалентных кремниевых биполярных транзисторов с изолированным затвором типа CSTBT и комбинированных СИТ-МОП-тиристоров (КСМТ) из блокирующего состояния в проводящее и обратно. Показано, что при включении и выключении энергия коммутационных потерь в тиристоре КСМТ больше, чем в полностью эквивалентном тиристоре CSTBT, поэтому средняя по времени мощность Р, рассеиваемая в тиристоре КСМТ, становится меньше, чем в эквивалентном тиристоре CSTBT только при большой длительности импульса тока. Однако уменьшение времени жизни т0 неравновесных носителей заряда в СИТ позволяет существенно снизить коммутационные потери тиристора КСМТ, сохраняя его преимущество в открытом состоянии. Вследствие этого для каждого набора параметров тиристора CSTBT можно подобрать такое т0 в "почти эквивалентном" тиристоре КСМТ, что мощность Р, рассеиваемая в тиристоре КСМТ, будет меньше, чем в эквивалентном тиристоре CSTBT в любом заданном диапазоне значений амплитуды Ja и длительности Топ импульсов тока.
Год издания: 2017
Авторы: Кюрегян А. С. , Горбатюк А. В. , Иванов Б. В.
Источник: Электротехника
Выпуск: № 2
Номера страниц: 52-56
Количество экземпляров:
- Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 1 из 1 экземпляров
Ключевые слова: транзисторы, биполярные транзисторы, тиристоры, транзисторы с изолированным затвором, электростатическое управление, тиристоры с электростатическим управлением, средняя мощность потерь, сравнительный анализ, коммутационные характеристики, статические характеристики, двумерное численное моделирование, комбинированные СИТ-МОП-тиристоры
Рубрики: Энергетика,
Полупроводниковые материалы и изделия
Полупроводниковые материалы и изделия
ISSN: 0013-5860
Идентификаторы: полочный индекс К 995, шифр elth/2017/2-488463066