1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Радио»
  5. Выпуск 2016 г. № 5
Полевой транзистор вкачестве защитногодиода Нечаев И.2016 год

Полевой транзистор в качестве защитного диода
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Н 590)
Библиографическое описание: Нечаев, И. . Полевой транзистор в качестве защитного диода / И. Нечаев. - ("Радио" - начинающим). - Текст : непосредственный // Радио. - 2016. - № 5. - С. 50 : 2 рис., 1 схем.
Аннотация: Для защиты различных радиоэлектронных приборов от неправильной полярности внешнего источника питания часто применяют защитные диоды, которые устанавливают в цепи питания. Основной недостаток такого технического решения - падение напряжения, которое зависит от типа примененного диода. С целью минимизации потерь часто используют диоды Шотки, но и на них падает 0, 2... 0, 4 В. Если для напряжения питания более 10 В это вполне допустимо, то для напряжения питания 5 В и менее эти потери уже существенные. Возможным выходом из этой ситуации может быть применение взамен защитного диода полевого транзистора с изолированным затвором, индуцированным каналом и встроенным диодом.
Год издания: 2016
Авторы: Нечаев И.
Источник: Радио
Выпуск: № 5
Номера страниц: 50
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Аналоги тринисторов сполевымитранзисторами Шустов М.2016 год

Аналоги тринисторов с полевыми транзисторами

  • Шустов М.
  • 2016 год
Двухзатворные полевыетранзисторы всмесителе приемникапрямогопреобразования Федотов Александр2018 год

Двухзатворные полевые транзисторы в смесителе приемника прямого преобразования

  • Федотов Александр
  • 2018 год
Прибор для подборатранзисторов Мороз К.2017 год

Прибор для подбора транзисторов

  • Мороз К.
  • 2017 год
От диодов - ктранзистору Чечнев А.2020 год

От диодов - к транзистору

  • Чечнев А.
  • 2020 год
Стенд для оперативнойпроверки БТИЗ иМОП-транзисторов Рычихин С.2024 год

Стенд для оперативной проверки БТИЗ и МОП-транзисторов

  • Рычихин С.
  • 2024 год
УМЗЧ с полевымитранзисторами ввыходном каскаде Рогов И.2016 год

УМЗЧ с полевыми транзисторами в выходном каскаде

  • Рогов И.
  • 2016 год
Адаптер для проверкимультиметромтранзисторов скороткими выводами Аксель А.2019 год

Адаптер для проверки мультиметром транзисторов с короткими выводами

  • Аксель А.
  • 2019 год
Эмулятор "лампового"звучания на полевомтранзисторе Шихатов А.2016 год

Эмулятор "лампового" звучания на полевом транзисторе

  • Шихатов А.
  • 2016 год

Показать ещё

Пробник длятранзисторов Нечаев И.2020 год

Пробник для транзисторов

  • Нечаев И.
  • 2020 год
Оптимизация токапокоя выходногокаскада на полевыхтранзисторах Рогов И.2016 год

Оптимизация тока покоя выходного каскада на полевых транзисторах

  • Рогов И.
  • 2016 год
МКУС в УМЗЧ сбиполярными иполевымитранзисторами(универсальнаяструктура) Литаврин А.2015 год

МКУС в УМЗЧ с биполярными и полевыми транзисторами (универсальная структура)

  • Литаврин А.
  • 2015 год
Вспомним ободнопереходномтранзисторе Нечаев И.2025 год

Вспомним об однопереходном транзисторе

  • Нечаев И.
  • 2025 год
Определениесобственных тепловыхсопротивлений силовыхтранзисторов и диодовIGBT модуля на основеего трёхмерной модели Ильин М. В.Вилков Е. А.Гуляев И. В.2019 год

Определение собственных тепловых сопротивлений силовых транзисторов и диодов IGBT модуля на…

  • Ильин М. В. и др.
  • 2019 год
По следу диодов Д1 иД2, или... совершенносекретно - 2 Чечнев А.2020 год

По следу диодов Д1 и Д2, или... совершенно секретно - 2

  • Чечнев А.
  • 2020 год
Аналитическоепредставлениехарактеристикбиполярныхтранзисторов Китаев А. Е.2017 год

Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов

  • Китаев А. Е.
  • 2017 год

Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов

  • Дракин Александр Юрьевич и др.
  • 2021 год