Библиографическое описание:Нечаев, И. . Полевой транзистор в качестве защитного диода / И. Нечаев. - ("Радио" - начинающим). - Текст : непосредственный // Радио. - 2016. - № 5. - С. 50 : 2 рис., 1 схем.
Аннотация:Для защиты различных радиоэлектронных приборов от неправильной полярности внешнего источника питания часто применяют защитные диоды, которые устанавливают в цепи питания. Основной недостаток такого технического решения - падение напряжения, которое зависит от типа примененного диода. С целью минимизации потерь часто используют диоды Шотки, но и на них падает 0, 2... 0, 4 В. Если для напряжения питания более 10 В это вполне допустимо, то для напряжения питания 5 В и менее эти потери уже существенные. Возможным выходом из этой ситуации может быть применение взамен защитного диода полевого транзистора с изолированным затвором, индуцированным каналом и встроенным диодом.
