Статьи выпуска

• Выставки (январь-июль 2015 г.)
• Интегральный радиопроцессор - перспективная техническая основа "Интернета вещей"
  А. А. Галицын
• Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ - 50 лет. — С. 2
• Микроэлектроника в приборостроении. — С. 3-22
  В. С. Першенков [и др.]
• Микромощное устройство считывания и преобразования сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей. — С. 23-27
  Ю. И. Бочаров [и др.]
• Коммуникационная подсистема и встроенное программное обеспечение для АСУТП тепловых и атомных электростанций. — С. 28-33
  И. И. Шагурин [и др.]
• Моделирование траекторий частиц в спектрометре ионной подвижности для обнаружения химически опасных веществ. — С. 33-37
  В. К. Васильев [и др.]
• Мультисенсорная система с беспроводным каналом связи для мониторинга газового состава среды. — С. 38-41
  Н. Н. Самотаев [и др.]
• Полупроводниковый датчик ранних стадий тления органических материалов. — С. 42-44
  Н. Н. Самотаев
• Изготовление МЭМС-структур чувствительных элементов датчиков концентрации газа с применением органических щелочей. — С. 45-49
  Д. С. Веселов, Ю. А. Воронов, К. Д. Ванюхин
• Способ улучшения точностных характеристик операционных усилителей. — С. 50-52
  М. С. Вахненко [и др.]
• Моделирование влияния ионизирующей радиации на погрешность интегрального датчика температуры при различных режимах. — С. 53-56
  М. Ю. Никифорова
• Модель ионизирующего излучения и температуры на характеристики МОП-транзистора. — С. 57-60
  П. Н. Орешков, В. Д. Попов
• Моделирование радиационной чувствительности датчиков водорода с МДП-транзисторными элементами. — С. 60-71
  Б. И. Подлепецкий
• Контроль качества функционирования БИС при воздействии радиации. — С. 72-76
  В. М. Барбашов, Н. С. Трушкин
• Прогнозирование работоспособности компараторов напряжения на биполярных транзисторах в условиях космического пространства. — С. 76-81
  В. С. Першенков [и др.]
• На пути к "умной" и "разумной" памяти: базовые кристаллы и процессорно-ориентированная организация "умной" памяти. — С. 81-86
  В. А. Лапшинский
• Влияние флуктуаций ионизационных потерь на вероятность сбоя в элементах памяти. — С. 87-89
  Г. И. Зебрев, И. В. Елушов
• Алексей Федорович Каперко. — С. 99