Датчики и системы : научно-технический и производственный журнал. 2015 г. № 1выпуск журнала/газеты
Статьи выпуска
- Выставки (январь-июль 2015 г.)
- Интегральный радиопроцессор - перспективная техническая основа "Интернета вещей"А. А. Галицын
- Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ - 50 лет. — С. 2
- Микроэлектроника в приборостроении. — С. 3-22В. С. Першенков [и др.]
- Микромощное устройство считывания и преобразования сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей. — С. 23-27Ю. И. Бочаров [и др.]
- Коммуникационная подсистема и встроенное программное обеспечение для АСУТП тепловых и атомных электростанций. — С. 28-33И. И. Шагурин [и др.]
- Моделирование траекторий частиц в спектрометре ионной подвижности для обнаружения химически опасных веществ. — С. 33-37В. К. Васильев [и др.]
- Мультисенсорная система с беспроводным каналом связи для мониторинга газового состава среды. — С. 38-41Н. Н. Самотаев [и др.]
- Полупроводниковый датчик ранних стадий тления органических материалов. — С. 42-44Н. Н. Самотаев
- Изготовление МЭМС-структур чувствительных элементов датчиков концентрации газа с применением органических щелочей. — С. 45-49Д. С. Веселов, Ю. А. Воронов, К. Д. Ванюхин
- Способ улучшения точностных характеристик операционных усилителей. — С. 50-52М. С. Вахненко [и др.]
- Моделирование влияния ионизирующей радиации на погрешность интегрального датчика температуры при различных режимах. — С. 53-56М. Ю. Никифорова
- Модель ионизирующего излучения и температуры на характеристики МОП-транзистора. — С. 57-60П. Н. Орешков, В. Д. Попов
- Моделирование радиационной чувствительности датчиков водорода с МДП-транзисторными элементами. — С. 60-71Б. И. Подлепецкий
- Контроль качества функционирования БИС при воздействии радиации. — С. 72-76В. М. Барбашов, Н. С. Трушкин
- Прогнозирование работоспособности компараторов напряжения на биполярных транзисторах в условиях космического пространства. — С. 76-81В. С. Першенков [и др.]
- На пути к "умной" и "разумной" памяти: базовые кристаллы и процессорно-ориентированная организация "умной" памяти. — С. 81-86В. А. Лапшинский
- Влияние флуктуаций ионизационных потерь на вероятность сбоя в элементах памяти. — С. 87-89Г. И. Зебрев, И. В. Елушов
- Алексей Федорович Каперко. — С. 99